TVS-диоды — полупроводниковые приборы с резко выраженной нелинейной вольт-амперной характеристикой, подавляющие импульсные электрические перенапряжения, амплитуда которых превышает напряжения лавинного пробоя диода.
Время срабатывания у несимметричных TVS-диодов менее 10-12 нс, а у симметричных — менее 5 нс. Это позволяет использовать их для защиты различных радиочастотных цепей, в состав которых входят чувствительные к переходным процессам полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы.
Другой важной характеристикой TVS-диодов является барьерная емкость р–n-перехода. Малоемкостные TVS-диоды (С=90–100 пФ) применяются для защиты линий связи переменного тока с частотой до 100 МГц от выбросов напряжения.
В данном разделе собраны таблицы по следующим сериям:
серия 1.5KE
серия 1.5SMCJ
серия 5KP, BYZ
серия BZW
серия P4KE
серия P4SMAJ
серия P6KE
серия P6SMBJ
серия SDA, TLG34
серия TLG41